[image]

Как будут развиваться дальше процессоры?

 
1 2 3 4 5
LT Bredonosec #08.05.2021 22:23  @stas27#08.05.2021 20:43
+
+1
-
edit
 
stas27> Вот интересная статья, во второй части много букв, так что не осилил (надеюсь, пока). Но таки да, жизнь куда богаче, чем нанометры в заголовках :eek:
stas27> Технологии микроэлектроники на пальцах: «закона Мура», маркетинговые ходы и почему нанометры нынче не те. Часть 2 / Хабр
да, хорошая мурзилка :)
мне только непонятно, почему автор противопоставляет эпитаксию и литографию.
Эпитаксия, осаждение материала из газа, жидкости или чего угодно, всё равно лишь часть процесса, вторая часть которого - формирование "окон" облучением под литографическими масками..

К экзамену по ПМТ

32. Виды эпитаксии. Основные процессы эпитаксиального наращивания в кремнии. Термин "эпитаксия" происходит от греческих слов "эпи" и "такс... //  solaris-pmt.blogspot.com
 

Планарно-эпитаксиальная технология изготовления интегральных микросхем

Этапы планарно-эпитаксиальной технологии: подготовка поверхности кремния, окисление пластин, фотолитография, диффузия примесей, эпитаксиальное наращивание, формирование слоев металлизации, нанесение //  ргр-тоэ.рф
 
   88.088.0
RU Sandro #08.05.2021 22:52  @Bredonosec#07.05.2021 21:36
+
+2
-
edit
 

Sandro
AXT

инженер вольнодумец
★☆
Bredonosec> Безумно любопытно было слушать маркетинговые рассказы про 7нм,учитывая, что диапазон волн видимого света от 400 до 700 нм. И никакая фотолитография не позволит сделать точку даже сравнимую с длиной волны, не то что меньше..

Точку действительно затруднительно. А вот протяжённые структуры с разрешением меньше длины волны — можно. Но не произвольной геометрии, разумеется.

Bredonosec> Теперь вот уф пришел, манажоры рисуют "размеры затвора" в 2нм..

Ну это гонево, да. Они выдают толщину изоляции за размер транзистора, что абсолютно некорректно. Собственно, тут уже ссылок на статьи накидали.

Bredonosec> Учитывая, что 200пм - размер атома, как скоро маркетинговые "техпроцессы" уйдут в субатомные размерности?

Маретинговые сказки, как известно, могут уйти абсолютно куда угодно и когда угодно. Примеров — не счесть.

Ну а в реале — для классических полупроводников минимальная толщина структуры где-то в районе 1..2 нм и будет. Причина в том, что проводимость что металлов, что полупроводников — это, можно сказать, эффект статистики. Там нужен достаточно большой кластер атомов, чтобы это работало. Если память не подводит, то что-то около тысячи штук.

Поэтому ищут другие подходы. Напримемр, уже более 30 лет как изобретают одноэлектронный транзистор. Правда, всё никак не изобретут. Ещё пытаются работать с графеном, тут перспективы выглядят лучше. Так как точно известно, что минимальный размер проводящей структуры — это одно бензольное кольцо. Шесть атомов углерода плюс обвес. Само по себе оно бесполезно, но со сложными структурами можно что-то пытаться изобретать. И это будет настоящая молекулярная электроника.
Но тут проблема в том что не очень понятно, как её проектировать, и тем более непонятно, как изготовлять. В общем, идти к ней — семь вёрст, и всё лесом.
   52.952.9
LT Bredonosec #09.05.2021 01:15  @Sandro#08.05.2021 22:52
+
-
edit
 
Sandro> Точку действительно затруднительно. А вот протяжённые структуры с разрешением меньше длины волны — можно. Но не произвольной геометрии, разумеется.
А как?
Ведь даже если дифракционные эффекты привлекать, ширина полос волновая, да и полос несколько.

Sandro> Ну это гонево, да. Они выдают толщину изоляции за размер транзистора, что абсолютно некорректно. Собственно, тут уже ссылок на статьи накидали.
ну, согласно ссылкам, тут вообще чисто виртуальное "раз мы уменьшили энергопотребление, то будем считать, что это эквивалент как будто уменьшили размер транзистора"

Sandro> Ну а в реале — для классических полупроводников минимальная толщина структуры где-то в районе 1..2 нм и будет. Причина в том, что проводимость что металлов, что полупроводников — это, можно сказать, эффект статистики.
не, так это всё очевидно, что меньше начинается суровая жопа чисто по квантовым эффектам.
И даже вон банально 35-25нм расстояние между стоком-истоком уже критично из-за соединения обедненных зон и потери управляемости базой..
Но речь о том, как вообще сделать структуры меньше длины волны?

Sandro> Поэтому ищут другие подходы. Напримемр, уже более 30 лет как изобретают одноэлектронный транзистор.
Учитывая, что электрон - статистическая величина и вообще кот шредингера?
   88.088.0
LT Bredonosec #11.05.2021 13:32
+
-
edit
 

Разрыв в литографии между TSMC и Samsung начинает угрожать бизнесу последней

TSMC пользуется приоритетом в получении литографического оборудования ASML, а попытки Samsung Electronics укрепить позиции собственного контрактного производства успехом если и увенчаются, то не скоро. //  3dnews.ru
 

Разрыв в литографии между TSMC и Samsung начинает угрожать бизнесу последней



TSMC пользуется приоритетом в получении литографического оборудования ASML, а попытки Samsung Electronics укрепить позиции собственного контрактного производства успехом если и увенчаются, то не скоро. Корейская компания отстаёт от соперника и в финансировании своего литографического прогресса. Февральские погодные аномалии в Техасе лишь усугубили ситуацию.
Источник изображения: Nikkei Asian Review

Как отмечает Nikkei Asian Review, совершённый до его очередного ареста визит фактического главы Samsung Electronics Ли Чжэ Ёна (Lee Jae-yong) на предприятие ASML в Нидерландах подчеркнул стремление компании добиться каких-либо преференций в получении литографических сканеров. Сейчас около 70 % всей продукции ASML получает TSMC, конкурентам последней сложно рассчитывать на ритмичные поставки передового оборудования в достаточных количествах.

В первом квартале операционная прибыль полупроводникового подразделения Samsung упала на 16 % в годовом сравнении, хотя выручка за это время выросла на 8 %. За предыдущие двенадцать месяцев прибыль Samsung не снижалась. Остановка предприятия в Техасе негативно сказалась на бизнесе компании по контрактному производству чипов. Восстановить производство в прежних объёмах удастся в текущем квартале, но данный сбой уже заставил клиентов частично перенести заказы на мощности других производителей.

По информации источников, Samsung Electronics столкнулась с проблемами при освоении 5-нм технологии. Компания не только отстала от TSMC на этом направлении, но и задержалась относительно собственного графика снижения уровня брака. TSMC начинает опережать Samsung и по размерам инвестиций в литографию. В этом году тайваньский конкурент намеревается потратить $30 млрд на строительство новых предприятий и освоение новых технологий. По итогам трёх ближайших лет эта сумма составит $100 млрд. Samsung хоть и готова потратить $40 млрд в текущем году, основную часть средств направит на модернизацию и расширение производства микросхем памяти.

По данным TrendForce, по итогам трёх первых месяцев этого года TSMC контролировала 56 % мирового рынка контрактных услуг. За год она укрепила свои позиции на два процентных пункта, а за два года прирост составил восемь процентных пунктов. Samsung же удалось за два прошедших года потерять один процентный пункт на этом рынке.

Отставание от TSMC в сфере литографии может угрожать и собственному бизнесу Samsung по производству процессоров и датчиков изображений для смартфонов. Нужды Apple обслуживает TSMC, компания из Купертино получает доступ к новым техпроцессам в числе первых. Samsung получает 60 % выручки от реализации микросхем памяти и смартфонов, при этом в последнее время она старается снизить свою зависимость от рынка памяти. Неудачи на рынке смартфонов могут пагубно сказаться на общей доходности бизнеса.
   68.068.0
Последние действия над темой
1 2 3 4 5

в начало страницы | новое
 
Поиск
Настройки
Твиттер сайта
Статистика
Рейтинг@Mail.ru